Protección de las puertas de enlace IoT frente a fallos silenciosos del almacenamiento:

Comprender las limitaciones del almacenamiento de estado sólido en PC integrados utilizando Robustel Flash Manager

Libro blanco: resumen ejecutivo

Breve

La mayoría de los desarrolladores subestiman el riesgo oculto que entrañan sus puertas de enlace IoT: el desgaste de la memoria flash NAND. Aunque el almacenamiento eMMC ofrece durabilidad y rentabilidad, tiene un ciclo de escritura/borrado finito, lo que significa que un diseño de software deficiente puede destruir silenciosamente los dispositivos mucho antes de que finalice su vida útil prevista.

Este informe técnico explica por qué los fallos de almacenamiento suelen producirse a gran escala, describe cómo medir la resistencia en el mundo real y presenta Flash Manager de Robustel, una herramienta de diagnóstico integrada para las pasarelas de la serie EG5000 que ayuda a los equipos a detectar, probar y mitigar el desgaste de la memoria flash antes de que se produzca un fallo en el campo.

Conclusión: con una supervisión proactiva y un diseño de software empático, las organizaciones pueden prolongar la vida útil de los dispositivos, reducir los costes de garantía y garantizar un funcionamiento fiable del IoT.

Lo que aprenderás
  • Las limitaciones de resistencia de la memoria flash NAND MLC y por qué las escrituras no gestionadas aceleran los fallos.
  • Diferencias clave entre las tarjetas eMMC y SD, y por qué las pasarelas industriales deben confiar en las eMMC.
  • Cómo las pilas de E/S de Linux, la amplificación de escritura y los patrones de carga de trabajo afectan directamente al estado de Flash.
  • Estrategias prácticas (sobreaprovisionamiento, optimización de escritura, opciones pSLC) para prolongar la vida útil del almacenamiento.
  • Cómo utilizar Robustel Flash Manager para supervisar el desgaste, realizar pruebas de estrés y pronosticar la longevidad de los dispositivos.

Introducción

La memoria flash NAND se ha convertido en el medio de almacenamiento de facto para los dispositivos de consumo actuales, como teléfonos móviles, tabletas y lectores electrónicos. También es el medio de almacenamiento masivo que se utiliza en unidades SSD, memorias USB y tarjetas SD, y es un componente habitual en ordenadores integrados de bajo coste, como los de la serie EG5000 de Robustel.

Los dispositivos fabricados con memoria flash NAND ofrecen resistencia a los golpes mecánicos, alta durabilidad y son capaces de soportar altas temperaturas y presiones, lo que los hace ideales para aplicaciones industriales. Un formato común para el almacenamiento flash NAND en sistemas industriales como los Edge Gateways de la serie EG5000 de Robustel es «eMMC».

La memoria flash NAND es una memoria no volátil muy popular, principalmente debido a su pequeño tamaño, bajo consumo energético y durabilidad. Aunque esta tecnología es adecuada para el «almacenamiento» puro, hay que tener en cuenta muchas características importantes cuando se incluye en un sistema complejo, especialmente uno que ejecuta un sistema operativo como Linux.

En comparación con las unidades de disco duro tradicionales, eMMC no tiene piezas móviles, por lo que es ideal para sistemas que vibran y se sacuden. NAND Flash también ofrece tiempos de acceso de lectura rápidos, lo cual es crucial para aplicaciones con gran volumen de datos. Sin embargo, uno de los principales inconvenientes del almacenamiento basado en NAND Flash es el número relativamente limitado de ciclos de escritura/borrado que puede soportar un dispositivo de este tipo.

En pocas palabras, un dispositivo NAND Flash «se desgasta», y su tasa de desgaste es proporcional a su uso; conceptualmente es similar a una batería, excepto que no hay una forma práctica de recargar una unidad eMMC.

Muchos integradores/desarrolladores de sistemas desconocen las limitaciones de «resistencia» de la memoria flash MLC NAND, lo que puede provocar fallos prematuros en flotas completas de dispositivos IoT. Por lo tanto, es fundamental medir el comportamiento del software y mitigar los problemas asociados al diseño inadecuado del software de aplicación cuando se utiliza memoria flash MLC NAND como dispositivo de almacenamiento principal, especialmente si aloja un sistema operativo Linux y software de aplicación.

Este informe técnico está diseñado para ayudar a los desarrolladores a comprender cómo medir el impacto de su software en una unidad eMMC (NAND Flash) y qué se puede hacer si parece que el «desgaste» prematuro es un riesgo para su aplicación.

Breve nota sobre eMMC frente a tarjetas SD

Varios PC integrados de muy bajo coste utilizarán una tarjeta SD como medio de almacenamiento principal, que contendrá todos los archivos críticos del sistema operativo y de las aplicaciones.

Algunos de los retos que plantea la comparación entre SD y eMMC y que vale la pena tener en cuenta son:

Un chip eMMC soldado a la placa de circuito impreso tendrá una resistencia a las vibraciones mucho mayor que una tarjeta SD insertada en una ranura o soporte.

Un chip eMMC tendrá una mejor implicación en materia de ciberseguridad, ya que no se puede extraer fácilmente del producto.

El reducido espacio entre el chip eMMC y la placa PCB reduce la inductancia no deseada y la distorsión de la señal, lo que suele permitir velocidades de transferencia de datos más altas que las tarjetas SD.

Otra preocupación con respecto a las tarjetas SD es la gran cantidad de falsificaciones que hay en el mercado, que a veces se cuelan incluso en productos legítimos. Los productos con paquete eMMC son mucho más fáciles de rastrear y es menos probable que formen parte de una operación de falsificación.

Los productos de Robustel solo utilizan chips eMMC para el sistema operativo principal, pero algunos productos pueden admitir una tarjeta SD para un almacenamiento masivo de bajo coste.

Capítulo 1: Comprensión del «desgaste» en la capa física

La memoria flash está compuesta por una disposición única de puertas lógicas configuradas en un bucle de retroalimentación, y estas puertas lógicas están fabricadas con transistores. Los transistores se fabrican todos juntos en una sola pieza de silicio, con capas de grabado y aditivos al silicio para crear el patrón de diseño y las propiedades eléctricas necesarias para formar los componentes. Este dispositivo de una sola pieza se conoce como circuito integrado. El proceso de fabricación de este circuito integrado es similar al de otras aplicaciones, como otros tipos de memoria, CPU, controladores y procesadores gráficos.

La memoria flash se desgasta, a diferencia de otros componentes IC que nunca se desgastan realmente a menos que se produzca un evento que cause daños en alguna de sus partes, como un sobrecalentamiento o una sobrecarga eléctrica. El desgaste de la memoria flash se debe a un requisito único de su diseño, según el cual «el proceso de borrado incide en la celda flash con una carga relativamente grande de energía eléctrica». Las unidades flash no pueden simplemente sobrescribir bytes de datos, como ocurre con los discos magnéticos. En su lugar, tienen que borrar bloques completos a la vez, de forma análoga a los sectores de un disco magnético, para poder escribir nuevos datos. Cada vez que se borra un bloque, la gran carga eléctrica degrada mínimamente el material de silicio, hasta que, tras suficientes ciclos de escritura y borrado, las propiedades eléctricas de la celda flash comienzan a deteriorarse y esa celda deja de ser fiable.

Por lo tanto, por su diseño, la memoria flash NAND tiene muchas propiedades excelentes, entre ellas el coste y la durabilidad, pero la contrapartida es una vida útil limitada por bloque, por lo que los desarrolladores de aplicaciones deben preservar los recursos disponibles mediante un uso empático del chip.

Capítulo 2: Medición del «desgaste» del sistema host

Aquí es donde las cosas empiezan a complicarse un poco más.

La pila de E/S de Linux comprende una compleja serie de subsistemas que funcionan en conjunto para optimizar el rendimiento de lectura/escritura desde el espacio de usuario hasta el hardware y viceversa. No siempre está claro qué escrituras a nivel de usuario llegan a la memoria Flash ni cómo lo hacen.

El dispositivo NAND Flash (eMMC o SSD) tendrá su propio controlador interno, configurado para prolongar la vida útil del dispositivo optimizando cuándo y cómo se realizan las escrituras en la memoria Flash.

Hay varias herramientas dentro de un sistema operativo Linux que pueden ayudar a arrojar luz sobre lo que está sucediendo y dónde. Antes de continuar con la lectura de este capítulo, tenga en cuenta que intentar establecer exactamente cómo fluye su código a través de la pila de E/S puede no ser la solución más conveniente para un problema complejo, por lo que algunos lectores pueden considerar

El resto de este capítulo es solo informativo. Los capítulos siguientes destacan soluciones más prácticas y reales para gestionar el riesgo sin necesidad de convertirse en un experto en E/S de Linux.

A continuación se muestran algunos ejemplos de funciones en Linux que podrían ayudarle con su análisis:

iostat

El comando iostat se utiliza para supervisar la carga de los dispositivos de entrada/salida del sistema observando el tiempo que los dispositivos están activos en relación con sus velocidades de transferencia medias. El comando iostat genera informes que pueden utilizarse para cambiar la configuración del sistema con el fin de comprender mejor la carga de entrada/salida de los discos físicos, por ejemplo, eMMC Flash.

iotop

iotop es un comando común de Linux. Es una utilidad similar a «top» para la entrada y salida (E/S) del disco. Utilice este comando para ver la información de uso de E/S generada por el kernel de Linux. Muestra una tabla del uso actual de E/S por parte de los procesos o subprocesos de Linux en el sistema Linux.

blktrace y blkparse

blktrace es especialmente útil, ya que proporciona información por capas desde el interior de la capa de E/S del bloque. Si se utiliza correctamente, es posible generar eventos para todas las solicitudes de E/S y supervisarlos desde donde se están desarrollando. Aunque extrae datos del núcleo, no es una herramienta de análisis y la interpretación de los datos puede ser compleja. Los desarrolladores pueden introducir los resultados de blktrace en herramientas como btt o blkparse para realizar el análisis.

Capítulo 3: Medición del «desgaste» a nivel de la transmisión

Un dispositivo de almacenamiento eMMC se compone de chips NAND Flash y un «controlador de dispositivo». El controlador es el corazón del dispositivo y su función es optimizar las lecturas y escrituras de E/S para que el rendimiento y la resistencia sean óptimos cuando se utiliza con sistemas operativos modernos.

Las funciones clave del controlador incluyen la gestión de bloques, la recolección de basura, el control de errores y la nivelación del desgaste. Al lector le puede resultar útil investigar más a fondo estos temas para comprender plenamente la gestión de la memoria flash NAND.

1）El informe de estado estándar Jedec introducido en JEDEC v5.0 proporciona una estimación de la vida útil restante en incrementos del 10 %, pero no es muy detallado. Es una herramienta útil durante el servicio para obtener una aproximación general del desgaste del dispositivo, pero no es una herramienta de diagnóstico muy adecuada antes de la implementación para comprender y evaluar completamente el riesgo asociado con el desgaste prematuro de la memoria Flash.

2）Los dispositivos eMMC contienen registros específicos del proveedor que indican datos útiles en tiempo real, como el número de borrados de bloques y el aumento del recuento de relojes defectuosos.

Dado que estos pueden variar según el proveedor, determinar exactamente cómo interrogar a los controladores de dispositivos puede llevar algo de tiempo. Los comandos explícitos a veces no se incluyen en la guía del usuario o solo están disponibles bajo un acuerdo de confidencialidad.

La herramienta mmc-utils de Linux forma parte de esta historia: se utiliza habitualmente para interrogar dispositivos eMMC desde Linux con el fin de lograr lo siguiente:

  • Establecer el estado de protección contra escritura de eMMC.
  • Cree una partición de uso general.
  • Habilitar/deshabilitar permanentemente la función de reinicio de hardware eMMC.
  • Imprimir y analizar la información CSD (datos específicos de la tarjeta).
  • Imprimir y analizar la información extCSD (datos específicos de tarjeta ampliados).

Los dos últimos elementos de la lista anterior son los más relevantes para este documento, ya que ofrecen una idea general de cómo imprimir/leer información de un chip eMMC, especialmente la relativa al estado del dispositivo.

Los lectores interesados en obtener información más detallada sobre este tema deben consultar al fabricante o la documentación del fabricante del dispositivo basado en memoria flash NAND que hayan elegido para comprender qué datos relacionados con el estado se incluyen y cómo acceder a ellos. «CMD56» es un comando genérico que se utiliza habitualmente para obtener esta información.

Debido a los caprichos y complejidades de lo anterior, Robustel ha desarrollado la aplicación «Flash Manager», que se ejecuta en todas las pasarelas de la serie EG5000 para permitir a los clientes recuperar fácilmente información útil relacionada con el estado de la eMMC. Más información al respecto en el capítulo 6.

Debido a los caprichos y complejidades de lo anterior, Robustel ha desarrollado la aplicación «Flash Manager», que se ejecuta en todas las pasarelas de la serie EG5000 para permitir a los clientes recuperar fácilmente información útil relacionada con el estado de la eMMC. Más información al respecto en el capítulo 6.

Capítulo 4: La ecuación para el desgaste/resistencia de la memoria flash NAND

Una buena aproximación aproximada de la vida útil estimada del dispositivo es TBW = Total Bytes Written (total de bytes escritos). La ecuación que lo rige es la siguiente:

TBW = DC * EF / WAF

Dónde:

DC = Capacidad del dispositivo en bytes

EF = Factor de resistencia = ciclos máximos de programación/borrado (según lo definido por el tipo de memoria Flash: 3000 para la memoria Flash NAND MLC típica utilizada en los productos Robustel).

WAF = Factor de amplificación de escritura (específico de la aplicación/configuración)

Un análisis sencillo de lo anterior muestra que DC y EF deben ser grandes y WAF debe ser pequeño para obtener el mejor TBW o «resistencia» posible de los dispositivos Flash. A continuación, explicaremos estos conceptos en detalle y cómo lograr la máxima resistencia.

  • DC = Capacidad del dispositivo

Es un concepto sencillo. Las eMMC se comercializan en tamaños típicos de 1 GB, 2 GB, 4 GB, etc.

Elegir un dispositivo que tenga mucha capacidad adicional en comparación con lo que requiere el sistema operativo o la aplicación es una forma sencilla de crear una mayor resistencia. Esto se conoce como «sobreaprovisionamiento».

  • EF = Factor de resistencia

La figura 1.1 muestra los valores típicos para esto en la fila marcada como «Ciclos P/E». La mayoría de los dispositivos eMMC convencionales utilizan memoria flash NAND «MLC» con un EF de 3000.

Es posible cambiar a un dispositivo flash NAND «SLC» para lograr un aumento sustancial y directo de la resistencia gracias a los 100 000 ciclos P/E de SLC, pero no se utiliza habitualmente en dispositivos IoT de bajo coste y gran volumen debido a su coste.

Con el «coste por bit» más alto de todos los tipos de Flash, el SLC solo se utiliza normalmente en aplicaciones de alta criticidad, como las militares, aeroespaciales y de TI empresarial.

La elección aquí para el diseñador del producto es sencilla: utilizar SLC, que es caro, para aumentar la resistencia, o ser inteligente en la aplicación de MLC NAND Flash. La mayoría de las aplicaciones industriales y de consumo aplican este último principio.

  • WAF = Factor de amplificación de escritura

Todo este informe técnico y sus objetivos giran en torno a este concepto fundamental.

Comprender y, posteriormente, reducir el WAF de su software de aplicación es la forma más económica de mejorar la resistencia, pero no es un concepto trivial.

La amplificación de escritura (WA) es un fenómeno indeseable asociado a las memorias flash y las unidades de estado sólido (SSD), en el que la cantidad real de información escrita físicamente en el soporte de almacenamiento es un múltiplo de la cantidad lógica que se pretende escribir.

Dado que la memoria flash debe borrarse antes de poder reescribirse, y que la operación de borrado tiene una granularidad mucho más gruesa en comparación con la operación de escritura, el proceso para realizar estas operaciones da como resultado el movimiento (o la reescritura) de los datos y metadatos del usuario más de una vez. Por lo tanto, la reescritura de algunos datos requiere que la parte ya utilizada de la memoria flash se lea, se actualice y se escriba en una nueva ubicación, además de borrar inicialmente la nueva ubicación si se ha utilizado anteriormente. Debido al funcionamiento de la memoria flash, es necesario borrar y reescribir partes mucho más grandes de la memoria flash de lo que realmente requiere la cantidad de datos nuevos. Este efecto multiplicador aumenta el número de escrituras necesarias a lo largo de la vida útil de la SSD, lo que acorta el tiempo durante el que puede funcionar de forma fiable. El aumento de las escrituras también consume ancho de banda de la memoria flash, lo que reduce el rendimiento de escritura del SSD. Hay muchos factores que afectan al WA de un SSD; algunos pueden ser controlados por el usuario y otros son el resultado directo de los datos escritos y del uso del SSD.

Arriba se encuentra el comienzo de un excelente artículo sobre este tema en Wikipedia. Véase: http://en.wikipedia.org/wiki/Write_amplification

Recomendamos al lector que se tome su tiempo para leer este artículo, en particular la sección titulada «Factores que afectan al valor», ya que es aquí donde se encuentran algunos conceptos detallados que los desarrolladores pueden explorar para reducir el WAF y, por lo tanto, aumentar la resistencia de la eMMC.

Una de las formas más sencillas en que los desarrolladores de aplicaciones pueden intentar optimizar su software es fomentar que las escrituras en disco sean grandes y secuenciales, en lugar de cortas y aleatorias. Esto ayudará a mantener el WAF en el rango típico de 4 a 8, a diferencia de algunas aplicaciones cuyo WAF puede ser significativamente más alto.

Puede resultar útil desarrollar su sistema asumiendo un WAF muy malo de 20. Si sus cálculos muestran que su dispositivo NAND Flash tendrá suficiente resistencia para toda la duración del proyecto, entonces puede estar bastante seguro de que el resultado será positivo.

Capítulo 5: Métodos generales para reducir y gestionar el «desgaste»

A – Sobredotación

Uno de los métodos más sencillos para evitar el desgaste de la memoria flash NAND es disponer de más capacidad. La pasarela EG5100 de Robustel tiene 8 GB y la EG5120 tiene 16 GB de memoria flash NAND eMMC. Se trata de una capacidad de almacenamiento relativamente grande para este tipo de dispositivos, lo que aumenta el coste base del producto, pero es una de las formas más sencillas y eficaces de aumentar su vida útil.

Si utilizamos un WAF típico de 6 para el EG5100 y el EG5120 respectivamente, obtenemos las siguientes cifras de resistencia (TBW):

EG5100 – (8589934592 x 3000/6) = 3,9 TBW

EG5120 – (17179869184 x 3000/6) = 7,8 TBW

Si asumimos que la vida útil del producto es de 5 años,

eso es 5 x 365 = 1825 días

Esto significa que el EG5120 podría gestionar 7,8/1825*1024 = 4,4 GB de escrituras al día durante 5 años.

Sin embargo, con un software mal implementado con un WAF de 18, esa cifra se reduciría a un tercio, con solo 1,5 GB por día que se podrían escribir, lo que corresponde a solo 64 MB por hora, una cifra relativamente pequeña para un sistema operativo moderno.

B – Comprender la amplificación de la escritura

Anime a sus desarrolladores de aplicaciones a leer este excelente artículo: https://en.wikipedia.org/wiki/Write_amplification

No podríamos esperar mejorar esta narrativa sobre el tema, así que ¡aprovecha al máximo!

C – Utiliza pSLC para aumentar la resistencia.

Al igual que la mayor parte del sector de los ordenadores integrados, Robustel utiliza memoria flash NAND MLC para mantener unos costes competitivos, pero también puede ofrecer «pSLC» para aplicaciones en las que preocupa la resistencia del almacenamiento del sistema (memoria flash NAND) para aplicaciones de larga duración.

Esto está disponible en Robustel «por proyecto». Su representante de Robustel puede proporcionarle más información.

D – Otras consideraciones

i) Una forma sencilla de mejorar la vida útil de Flash puede ser limitar la información de «depuración» y «registro», ya que a menudo se escribe sobre la marcha.

ii) Diseñar la aplicación para utilizar patrones de escritura única para los datos que no cambian con frecuencia. Si los datos solo se añaden y nunca se modifican, se reduce el desgaste.

iii) No se recomienda permitir que los datos de la memoria flash NAND se llenen hasta casi alcanzar su capacidad máxima, ya que esto requeriría más ciclos de programación/borrado para mover los datos antes de que se marquen suficientes páginas para su borrado.

iv) Recuerde que las estrategias específicas que elija pueden depender de la naturaleza de su aplicación y del tipo de datos que gestione.

Capítulo 6: Presentación de Flash Manager, la utilidad de supervisión del desgaste de Robustel

Todas las pasarelas de la serie EG5000 (y otras series RobustOS PRO) de Robustel incluyen una función denominada «Flash Manager» que permite a los desarrolladores determinar rápidamente el estado de la memoria flash NAND sin necesidad de tener conocimientos detallados sobre los comandos Linux que interrogan a los controladores de dispositivos flash.

Flash Manager permite a los clientes implementar una imagen en una serie EG5000 y medir el rendimiento de la memoria flash NAND antes y después de un periodo de funcionamiento en condiciones «típicas».

Al comparar el estado de la memoria flash NAND antes y después, y luego extrapolar esa tasa de desgaste a la vida útil prevista del producto, los desarrolladores de productos pueden determinar rápidamente si su software escribe en la eMMC de forma empática y si los productos no sufrirán fallos prematuros por desgaste de la memoria flash NAND.

Robustel consulta tanto el estado de salud estándar JEDEC como los registros propios del proveedor para proporcionar una instantánea lo más detallada posible.

Al comparar instantáneas sucesivas con el tiempo transcurrido, los desarrolladores de aplicaciones pueden hacerse una idea de la resistencia en el mundo real y asegurarse de que el hardware y el software pueden durar toda la vida útil requerida por el proyecto.

Descripción detallada de Flash Manager

Al comparar instantáneas sucesivas con el tiempo transcurrido, los desarrolladores de aplicaciones pueden hacerse una idea de la resistencia en el mundo real y asegurarse de que el hardware y el software pueden durar toda la vida útil requerida por el proyecto.

A – Pantalla de estado

Según la captura de pantalla siguiente, la pantalla de estado mantiene un total acumulado de parámetros útiles de la memoria flash NAND. Estos se explican con más detalle a continuación.

B – Pruebas de memoria flash

El usuario puede configurar una prueba de memoria flash con una duración máxima de 14 días.

Se puede iniciar manualmente o programar para que se inicie a una hora específica.

El resultado de una prueba es un archivo CSV con una comparación detallada del estado de la memoria flash NAND al inicio y al final de la prueba. Este resultado se puede analizar y extrapolar a la vida útil del sistema implementado.

C – Análisis de los resultados de las pruebas

El resultado de una prueba se muestra en el archivo CSV que aparece a continuación. A continuación, explicamos el significado y la importancia de cada línea.

  • Vida útil restante estimada del dispositivo = Se trata de una aproximación aproximada de la vida útil restante prevista de un dispositivo NAND Flash. Se basa en la norma JEDEC JESD84-A43.
  • Cantidad total de datos borrados (MB) = Cantidad total de datos borrados durante la prueba basada en el total de bloques borrados multiplicado por el tamaño del bloque.
  • Total de bloques borrados = El número total de acciones de borrado de bloques durante la prueba. Esta es, sin duda, la variable más importante a la hora de hacerse una idea de la resistencia de su dispositivo en función del software que se está ejecutando actualmente.
  • Tamaño del bloque (MB) = Tamaño del bloque del dispositivo NAND Flash (normalmente eMMC) según la configuración actual. Un bloque se compone de varias «páginas».
  • Número total de bloques = Número total de bloques que componen la memoria flash NAND.
  • Recuento medio de borrado de flash = Número medio de acciones de borrado de bloques por bloque utilizable. El recuento medio máximo de borrado es de 3000 para flash NAND MLC.
  • Velocidad media de borrado de la memoria flash = Número medio de recuentos de borrado dividido por el número total de bloques.
  • Recuento de bloques defectuosos de Flash = Número total de «bloques defectuosos» detectados por el controlador Flash.
  • Aumentar el recuento de bloques defectuosos = Cuántos bloques se han vuelto «defectuosos» durante la prueba.
  • Recuento de encendidos = Cuántas veces se ha encendido el dispositivo NAND Flash/eMMC.
  • Consumo de bloques reservados = Cuando se genera un bloque defectuoso, se utiliza un bloque reservado para sustituirlo y garantizar la fiabilidad de la memoria flash NAND. Una vez que se han utilizado todos los bloques reservados para sustituir los bloques defectuosos, si se generan más bloques defectuosos, no se podrá utilizar ningún bloque reservado para sustituirlos.
  • Capacidad (MB) = Capacidad total del dispositivo: no cambia. Solo a título informativo.
  • Datos escritos (MB) = Total de datos escritos en el dispositivo (medidos por el controlador) durante la prueba.
  • Datos borrados (MB) = Total de datos borrados del dispositivo (según las mediciones del controlador) durante la prueba.
D – Aplicación de los resultados del Administrador de Flash

Utilizando las cifras iniciales y finales del informe, podemos estimar fácilmente cómo afectará la aplicación del usuario al estado de la memoria flash de la serie EG5000 durante un periodo prolongado, extrapolando los resultados obtenidos a lo largo de la duración de la prueba.

Apéndice A: Condiciones de garantía para los productos de la serie EG5000

«Las pasarelas Robustel tienen una garantía estándar contra fallos prematuros durante los dos primeros años de vida útil, pero los fallos debidos al desgaste o uso excesivo de la memoria flash NAND NO están cubiertos por la garantía estándar. En algunas condiciones, es posible sustituir el módulo eMMC, pero este servicio siempre será de pago y estará sujeto a la discreción exclusiva de Robustel».

Asóciese con Robustel: su aliado experto en IoT industrial

Gestionar la resistencia de la memoria Flash no solo consiste en prolongar la vida útil del hardware, sino también en crear sistemas IoT en los que su empresa pueda confiar a largo plazo. En Robustel, combinamos una profunda experiencia en el sector con herramientas probadas, como Flash Manager, para ayudarle a anticipar riesgos, reducir costes y mantener el buen funcionamiento de las operaciones. Asóciese con nosotros hoy mismo y gane un aliado de confianza para navegar por las complejidades del IoT industrial.